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ARM硬件设计四 - EBI总线

发布日期:2021-12-04 03:21   来源:未知   阅读:

  2.数据总线X系列数据总线-位模式,这依赖于片选线(NCSO)的BMS引脚状态和其他所有片选线的EBI芯片选择寄存器的配置。需要注意的是,AT91X40X系列微控制器的数据总线没有内部上拉或下拉电阻。强烈建议你增加100KR左右的上拉或下拉电阻以防止外部干扰信号导致的未知动作和/或内部振荡器故障导致的VDDIO和VDDCORE的额外电流损耗。AT91的EBI数据总线能够驱动的负载电容能够通过AT91EBI定时计算器应用笔记估算。

  控制总线有以下几个模式读写线,片选线和字节选择线,他们使用户能够连接多种存储器和外围设备。注意的是,依赖于微控制器的主时钟,必须NWR和NRD线可接受的最大负载电容在可接受的范围内。过载的NWR和NRD线可以延长一些EBI延时,因而发生读或写访问不一致。

  控制总线信号能够驱动的负载电容能够通过AT91 EBI定时计算器应用笔记估算。

  在访问的任何时间或标准的等待状态不足够时NWAIT引脚能够增加读或写访问的额外的等待周期。当NWAT引脚被检测到为低时,内核时钟停止并且EBI停止当前访问但不改变输出信号或内部计数器和状态。当NWAIT引脚被重新释放后,内核时钟启动并且EBI结束访问操作。

  NWAIT引脚输入低激活并且在主时钟的上升沿检测。NWAIT输入信号仅仅能够在主时钟低阶段同步激活。

  NWAIT信号在时钟的上升沿也必须保证设置时间和保持所需的时间匹配。当设置和保持时间不匹配时,它可以立即冻结EBI信号到他们的活动状态(或甚至一些周期之后)并且保持这个状态直到执行硬件复位。如果NWAIT引脚由像DSP或FPGA之类的外部器件驱动,用户必须保证当AT91微控制器上电时NWAIT引脚为高驱动。如果NWAIT引脚未使用,必须增加一个100KR的上拉电阻。

  新手在进行开发学习前,建议先看01-迅为电子开发板入门视频。对开发板和开发环境有一定的了解后,不要盲目接线开机。以下是个人的一点经验,和大家分享一下。补充:这是第一份笔记,主要是提供给刚拿到板子的同学,2、3分钟就可以看完,避免你走歪路。实际上视频上都有,我只是整理了一下。之后我大概不定期会陆续上传一些我的学习笔记分享给大家,希望大家可以给出建议。以后可以的话会整理一下,打包上传,也给后来学习的人一个参考,方便大家共勉。注:我使用的是4412精英版+7寸屏+SCP封装+2G内存+16G闪存。其他版本可能会有一点点区别,但不影响学习。一、开机前检查:电源适配器(5V/2A):插到图上左下角POWER。开发板只有

  开发板学习笔记(一) /

  存储器映射基本概念ARM处理器产生的地址叫虚拟地址,把这个虚拟地址按照某种规则转换到另一个物理地址去的方法称为地址映射。这个物理地址表示了被访问的存储器的位置。它是一个地址范围,该范围内可以写入程序代码。存储器映射控制的必要性为了让运行在不同存储器空间中的程序对异常进行控制。可以通过存储器映射控制,将位于不同存储空间的异常向量表重新映射至固定地址0x00~0x3F处,以实现异常向量表的来源控制。APCS规定了子程序调用的基本规则,这些规则包括子程序调用过程中寄存器、数据栈的使用规则以及参数的传递规则。异常向量表对于每一个异常事件,都有一个与之相对应的处理程序,它们是关联在一起的,并以一张一维表的格式存储在存储器的固定单元中。这张

  ARM手册中都会有一些Programmers’ Model章节。那么什么是Programmers’ Model,Programmers’ Model是从编程者的角度来看,处理器提供了哪些可用的特性给编程人员。这里以ARM7TDMI-S 为基础来介绍一些基本的模型,对最新的内核也适用。想了解最新的可以参阅ARMv8-A的架构手册,里面可以看到有应用级和系统级的Programmers’ Model(分别有64位架构和32位架构的),有很多的特性。数据类型ARM7TDMI-S 可以支持下列的数据类型Byte(字节,8位)Halfword(半字,16位,以两字节为对齐边界)Word(字,32位,以四字节为对齐边界)处理器运行状态处理器在运

  Arm架构构成了每个Arm处理器的基础。 ARM架构基于RISC(精简指令集计算机)原则,同时也包含:统一的寄存器文件加载/存储(load/store)结构,其中数据处理仅对寄存器内容进行操作,而不直接对存储器内容进行操作。简单寻址模式,所有的加载/存储地址只能由寄存器内容和指令字段确定。基于增强的RISC 架构,使ARM处理器能够在高性能,小代码尺寸,低功耗和小硅片面积之间有着良好的平衡。 Arm架构随着时间的推移而不断进化,在整个进化历史中引入了几个扩展的架构,包括:安全扩展(TrustZone技术)先进的SIMD(NEON技术)虚拟化扩展,在Armv7-A中引入加密扩展,在Armv8-A中引入Arm设计了一系列处理器

  去年9月份NVIDIA宣布斥资400亿美元收购ARM公司,当时他们雄心壮志,希望通过拿下ARM来扩大数据中心市场的力量,然而一年年后的现在,收购ARM公司面临的审核压力越来越大。根据NVIDIA与ARM母公司软银的协议,收购将在一年半时间内完成,但最多可以扩展到两年时间,也就是最快2022年3月份见分晓,最慢拖到明年9月份。算起来还有差不多10多个月时间,NVIDIA似乎不应该着急,但最近的风向变化颇大,英国反垄断部门在第二段的审核中对NVIDIA收购ARM的态度日趋负面,他们更希望ARM能够IPO上市。即便过了英国方面的审核,欧盟的反垄断调查也不轻松,甚至美国方面的审批也很麻烦,因为美国多家半导体及科技公司都对NVIDIA收购

  NEON是一种基于SIMD思想的ARM技术。 SIMD, Single Instruction Multiple Data,是一种单条指令处理多个数据的并行处理技术,相比于一条指令处理一个数据,运算速度将会大大提高。ARMv8 有31 个64位寄存器,1个不同名字的特殊寄存器,用途取决于上下文, 因此我们可以看成 31个64位的X寄存器或者31个32位的W寄存器(X寄存器的低32位)ARMv8有32个128位的V寄存器,相似的,我们同样可以看成是32个32位的S寄存器或者32个64位的D寄存器。也可以用作32个64bit D0-D31或32个32bit S0-S31 或32个 16bit H0-h31 或 32个8bit

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